深圳钻石抛光液加工

集成电路铜互连一步化学机械抛光工艺及相应纳米抛光液:一种用于集成电路多层互连结构铜/钽化学机械抛光(CMP)的一步抛光工艺技术及相应纳米抛光液。对于互连结构的铜/钽多层膜体系的化学机械抛光,通过本发明的“一步抛光工艺”,单头抛光机能够代替昂贵的多头抛光机,实现多层膜的分步抛光。通过化学机械抛光过程中多层膜体系界面间在线检测信号(声学、力学、电学或光学信号)差异的反馈,对抛光液实施分段应用,有效改善了原有的单一抛光液或分步抛光中存在的低速率及选择性问题。该抛光工艺及相应纳米抛光液有效改善了单一抛光液的速率问题;以单头抛光机代替多头抛光机,降低了设备成本;同时抛光后表面损伤少、易清洗,抛光液不腐蚀设备、不污染环境。本公司销售的纳米抛光液应用范围：透明陶瓷：高压钠灯灯管、EP-ROM窗口。深圳钻石抛光液加工

    抛光液锗抛光液集成电路多次铜布线抛光液集成电路阻挡层抛光液应用，在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度极高，普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的划痕。CMP抛光液利用"软磨硬"的原理很好的实现了蓝宝石表面的精密抛光。随着LED行业的快速发展，聚晶金刚石研磨液及二氧化硅溶胶抛光液的需求也与日俱增。2.半导体行业CMP技术还***的应用于集成电路(IC)和超大规模集成电路中(ULSI)对基体材料硅晶片的抛光。随着半导体工业的急速发展，对抛光技术提出了新的要求，传统的抛光技术(如:基于淀积技术的选择淀积、溅射等)虽然也可以提供"光滑"的表面，但却都是局部平面化技术，不能做到全局平面化，而化学机械抛光技术解决了这个问题，它是目前***的可以在整个硅圆晶片上***平坦化的工艺技术。宝石抛光液生产工艺Al2O3抛光液一次完成蓝宝石、碳化硅晶片的研磨和抛光，**进步抛光功率。

    研磨液供给与输送系统

①研磨液供给与输送系统与CMP工艺之间的关系：研磨液中的化学品在配比混合输送过程中可能有许多变化，这一点，使输送给机台的研磨液质量与抛光工艺的成功形成了非常紧密的关系，其程度超过了与高纯化学品的联系。尽管CMP设备是控制并影响CMP工艺结果的主要因素，但是研磨液在避免缺点和影响CMP的平均抛光速率方面起着巨大的作用。

②研磨液供给与输送系统实现的目标：通过恰当设计和管理研磨液供给与输送系统来保证CMP工艺的一致性。研磨液的混合、过滤、滴定以及系统的清洗等程序会减轻很多与研磨液相关的问题。那么就要设计一个合适的研磨液的供给与输送系统，完成研磨液的管理，控制研磨液的混合、过滤、浓度、滴定及系统的清洗，减少研磨液在供给、输送过程中可能出现的问题和缺点，保证CMP的平坦化效果。

③抛光研磨液后处理：作为消耗品，研磨液一般是一次性使用。随着CMP市场的扩大，抛光研磨液的排放及后处理工作量也在增大(出于环保原因，即使研磨液不再重复利用，也必须先处理才可以排放)。而且，抛光研磨液价格昂贵，如何对抛光研磨液进行后处理，补充必要的化学添加剂，重复利用其中的有效成分，或降级使用，不仅可以减少环境污染。

抛光液现在市场上运用**为***的几种磨料是SiO2、CeO2、Al2O3。其间，SiO2抛光液选择性、涣散性好，机械磨损性能较好，化学性质生动，而且后清洗进程处理较简单；缺点为在抛光进程中易发作凝胶，对硬底资料抛光速率低。CeO2抛光液的长处是抛光速率高，资料去除速率高；缺点是黏度大、易划伤，且选择性欠好，后续清洗困难。Al2O3抛光液的缺点在于选择性低、涣散安稳性欠好、易聚会等，但对于硬底资料蓝宝石衬底等却具有***的去除速率。本公司销售的氧化硅抛光液粒径分布***：5-100nm。

蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性，在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。

蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用：

1. 外延片生产前衬底的双面研磨：多用蓝宝石研磨液研磨一道或多道，根据**终蓝宝石衬底研磨要求用6um、3um、1um不等。

2. LED芯片背面减薄

为解决蓝宝石的散热问题，需要将蓝宝石衬底的厚度减薄，从450nm左右减至100nm左右。主要有两步：先在横向减薄机上，用50-70um的砂轮研磨磨去300um左右的厚度；再用抛光机（秀和、NTS、WEC等）针对不同的研磨盘（锡/铜盘），采用合适的蓝宝石研磨液（水/油性）对芯片背面抛光，从150nm减至100nm左右。

本公司销售的氧化硅抛光液适合与各种抛光垫、合成材料配合抛光使用。杭州研磨抛光用抛光液价格

氧化铝抛光液主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。深圳钻石抛光液加工

硫系化合物相变材料化学机械抛光的纳米抛光液及其应用:一种用于硫系化合物相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)化学机械抛光(CMP)的纳米抛光液及该化学机械抛光液在制备纳电子器件相变存储器中的应用。该CMP纳米抛光液包含有氧化剂、螯合剂、pH调节剂、纳米研磨料、抗蚀剂、表面活性剂及溶剂等。该抛光液损伤少、易清洗、不腐蚀设备、不污染环境,主要用于制造相变存储器关键材料GexSbyTe(1-x-y)的CMP。利用上述抛光液采用化学机械抛光方法去除多余的相变薄膜材料GexSbyTe(1-x-y)制备纳电子器件相变存储器,方法简单易行。深圳钻石抛光液加工