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薄膜沉积设备:应用材料在PVD领域优势明显集成电路薄膜材料制造采用的工艺为物相沉积PVD(PhysicalVaporDeposition)与化学气相沉积CVD(ChemicalVaporDeposition)等。物相沉积指将材料源表面气化并通过低压气体/等离子体在基体表面沉积，包括蒸发、溅射、离子束等。化学气相沉积指将含有薄膜元素的气体通过气体流量计送至反应腔晶片表面反应沉积，包括低压化学气相沉积LPCVD、金属有机化合物气相沉积MOCVD、等离子体增强化学气相沉积PECVD等。原子层沉积ALD属于化学气相沉积的一种，区别在于化学吸附自限制(CS)与顺次反应自限制(RS)，每次反应只沉积一层原子，从而具备成膜均匀性好、薄膜密度高、台阶覆盖性好、低温沉积等优点，适用于具有高深宽比、三维结构基材。全球竞争格局:集成电路PVD领域主要被美国应用材料(AppliedMaterials)、瑞士Evatec、日本爱发科(Ulvac)所垄断，其中应用材料占比约85%;CVD领域全球主要供应商为美国应用材料(AppliedMaterials)、东京电子(TokyoElectron)、泛林半导体(LamResearch)，其中应用材料占比约30%。国内竞争格局:国内集成电路领域沉积设备供应商主要为沈阳拓荆与北方华创。沈阳拓荆:两次承担国家“02专项”。上海提供半导体晶圆设备进口报关代理公司，天津进口二手半导体晶圆设备服务公司。深圳代理半导体设备进口报关专业快速

HJT:未来增长潜力无限异质结电池作为N型单晶双面电池的一员，早由日本三洋公司于1990年成功研发。2015年，三洋关于异质结的**保护结束，行业迎来大发展时期。异质结电池的特性包括以下几点:优点:(a)工艺流程短，工序少;(b)无光致衰减;(c)双面发电;(d)采用低温工艺从而热耗减少;(e)对称结构更利于薄片化.待改进点:(a)虽然电池效率相较于P型电池具有优势，但初期投资成本过高。目前，异质结单位投资额约为10亿元/GW，同期PERC为4亿元左右。(b)异质结电池的生产设备与现有常规晶硅电池不兼容。(c)无法采用常规晶硅电池的后续高温封装工艺，取而代之的为低温组件封装工艺。异质结电池生产工序包括:硅片→清洗→制绒→正面沉积非晶硅薄膜→背面沉积非晶硅薄膜→正反面沉积TCO薄膜→丝网印刷电极→边缘隔离→测试。概括来说，主要的四个工艺步骤为:制绒清洗→非晶硅薄膜沉积→TCO制备→电极制备。其中，非晶硅薄膜沉积、TCO制备工艺要求较高，目前以海外供应商为主。非晶硅薄膜沉积领域:主要用到的设备为等离子化学气相沉积(PECVD)与热丝化学气相沉积(Cat-CVD/HWCVD)。非晶硅沉积设备主流供应商包括美国应用材料、瑞士梅耶博格、韩国周星、日本爱发科、日本真空等。武汉提供半导体设备进口报关气垫车上海进口半导体设备进口清关、天津进口晶圆设备进口报关、江苏进口晶圆设备报关、晶圆设备报关服务公司。

常见的半导体晶圆设备品牌型号：1、单晶炉设备名称：单晶炉。海关编码：：0%增值税：13%申报要素：1品名2用途3功能4品牌5型号主要企业（品牌）：德国PVATePlaAG公司、日本Ferrotec公司、美国QUANTUMDESIGN公司、德国Gero公司、美国KAYEX公司。2、气相外延炉商品名称：气相外延炉海关编码：：0%增值税率：16%申报要素：1品名2用途3功能4品牌5型号主要企业（品牌）：美国CVDEquipment公司、美国GT公司、法国Soitec公司、法国AS公司、美国ProtoFlex公司、美国科特?莱思科（）公司、美国AppliedMaterials公司。3、分子束外延系统（MBE，MolecularBeamEpitaxySystem）商品名称：分子束外延系统海关编码：：0%增值税率：13%申报要素：1品名2用途3功能4品牌5型号主要企业。

集成电路运用、占比比较高、技术难度比较大。本篇报告将主要围绕集成电路制造工艺和相关设备展开。半导体设备主要运用于集成电路的制造和封测两个流程，分为晶圆加工设备、检测设备和封装设备，以晶圆加工设备为主。检测设备在晶圆加工环节(前道检测)和封测环节(后道检测)均有使用。晶圆加工流程包括氧化、光刻和刻蚀、离子注入和退火、气相沉积和电镀、化学机械研磨、晶圆检测。所用设备包括氧化/扩散炉、光刻机、刻蚀机、离子注入机、薄膜沉积设备(PVD和CVD)、检测设备等。2018年全球半导体设备市场达到，同比增长14%。SEMI预计2019年全球市场有所调整，2020年将重回增长。区域分布上，韩国、中国大陆、中国台湾、日本、北美、欧洲分别占比27%、20%、16%、15%、9%、7%。2018年中国大陆超过中国台湾地区，成为全球半导体设备第二大市场。2018年韩国、中国大陆、中国台湾、日本、北美、欧洲半导体设备增速分别为-1%、59%、-11%、46%、4%、15%。中国大陆增速领跑全球，成为全球半导体设备市场增长的主要动力。光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备是的半导体设备半导体设备分为晶圆加工设备、检测设备、封装设备和其他设备。SEMI预计。韩国、日本半导体制造设备进口清关公司，进口晶圆加工设备报关公司。

组件生产设备:关注半片/多主栅/叠瓦技术带来的设备端升级需求焊接与层压为光伏组件生产工艺流程中重要的两个环节。常规光伏组件的构成包括电池片、互联条、汇流条、钢化玻璃、EVA、背板、铝合金、硅胶、接线盒九个部分，工艺流程可概括为焊接→叠层→层压→检测，其中，焊接、层压作为关键的两道工序，将直接影响成品率、输出功率与可靠性。光伏组件设备已实现国产化。光伏组件设备包括常规串焊机、多主栅串焊机、叠瓦串焊机、激光划片机、叠层设备、层压机、测试设备等，其中，串焊机为设备。竞争格局:光伏组件设备以国内供应商为主，其中，奥特维串焊机产品占存量市场总量约40%，为该领域之一;金辰股份主要供应光伏组件自动化生产线、层压机等;先导智能为国内锂电设备，于2019年始发丝印叠瓦焊接机产品。为追求更高光电转换效率从而实现降本增效，双面发电组件、半片电池组件、叠瓦组件、多主栅组件等先进组件技术正与高效电池技术相结合，多主栅串焊设备、与半片/叠瓦电池组件配套的设备需求占比将有所提升，具体为:半片:采用半片技术的电池组件将提升对于激光划片机的需求。多主栅:多主栅电池占比的提升将带来多主栅串焊机采购规模的增长。半导体生产线制造设备进口清关代理公司，进口半导体设备报关代理。武汉代理半导体设备进口报关常见问题

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半导体设备位于整个半导体产业链的上游，在新建晶圆厂中半导体设备支出的占比普遍达到80%。一条晶圆制造新建产线的资本支出占比如下：厂房20%、晶圆制造设备65%、组装封装设备5%，测试设备7%，其他3%。其中晶圆制造设备在半导体设备中占比比较大，进一步细分晶圆制造设备类型，光刻机占比30%，刻蚀20%，PVD15%，CVD10%，量测10%，离子注入5%，抛光5%，扩散5%。17年全球半导体设备市场总量约为566亿美元，同比+37%，2018年预计在600亿美元规模。中国是全球半导体设备的第三大市场，17年中国半导体设备，增速27%。1956年制定的《1956-1967科学技术发展远景规划》中，已将半导体技术列为四大科研重点之一，明确提出“在12年内可以制备和改进各种半导体器材、器件”的目标。同期教育部集中各方资源在北京大学设立半导体专业，培养了包括王阳元院士、许居衍院士等批半导体人才。半导体产业链复杂、技术难度高、需要资金巨大，且当时国内外特定的社会环境，中国在资金、人才及体制等各方面困难较多，导致中国半导体的发展举步维艰。(图表1、2为半导体产业链图)直到70年代，中国半导体产业的小规模生产才正式启动。原电子工业部部长在其著作《芯路历程》中回忆这一阶段历史。深圳代理半导体设备进口报关专业快速

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