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符号表示方法
继电器线圈在电路中用一个长方框符号表示,如果继电器有两个线圈,就画两个并列的长方框。同时在长方
框内或长方框旁标上继电器的文字符号“J”。继电器的触点有两种表示方法:一种是把它们直接画在长方框一侧,这种表示法较为直观。另一种是按照电路连接的需要,把各个触点分别画到各自的控制电路中,通常在同一继电器的触点与线圈旁分别标注上相同的文字符号,并将触点组编上号码,以示区别。 [6]
继电器的触点有3种基本形式: [6]
(1)动合型(常开,H型)线圈不通电时两触点是断开的,通电后两个触点闭合。以“合”字的拼音字头“H”表示。 [6]
(2)动断型(常闭,D型)线圈不通电时两触点是闭合的,通电后两个触点断开。用“断”字的拼音字头“D”表示。 [6]
(3)转换型(Z型)是触点组型。这种触点组共有3个触点,即中间是动触点,上下各一个静触点。线圈不通电时,动触点和其中一个静触点断开,和另一个闭合;线圈通电后,动触点就移动,使原来断开的呈闭合状态,原来闭合的呈断开状态,达到转换的目的。这样的触点组称为转换触点。用“转”字的拼音字头“Z”表示。 [6] 上门回收闪存芯片实力收货
回收内存芯片回收芯片什么作用
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分类回收闪存也有不同类型,其中主要分为NOR型和NAND型两大类。
NOR型与NAND型闪存的区别很大,打个比方说,NOR型闪存更像内存,有**的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较小;而NAND型更像硬盘,地址线和数据线是共用的I/O线,类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般,而且NAND型与NOR型闪存相比,成本要低一些,而容量大得多。因此,NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合,通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行,手机就是使用NOR型闪存的大户,所以手机的“内存”容量通常不大;NAND型闪存主要用来存储资料,我们常用的闪存产品,如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
目前主板上的BIOS大多使用Flash Memory制造,翻译成中文就是"闪动的存储器",通常把它称作"快闪存储器",简称"闪存"。 闪存盘是一种移动存储产品,可用于存储任何格式数据文件便于随身携带,是个人的“数据移动中心”。 闪存盘采用闪存存储介质(Flash Memory)和通用串行总线(USB)接口,具有轻巧精致、使用方便、便于携带、容量较大、安全可靠、时尚潮流等特征,是大家理想的便携存储工具,
我们常说的闪存其实只是一个笼统的称呼,准确地说它是非易失随机访问存储器(NVRAM)的俗称,特点是断电后数据不消失,因此可以作为外部存储器使用。
而所谓的内存是挥发性存储器,分为DRAM和SRAM两大类,其中常说的内存主要指DRAM,也就是我们熟悉的DDR、DDR2、SDR、EDO等等。
3 缓存编程
缓存编程是页编程的一种, 可以由2112 字节的数据寄存器执行, 并只在一个块中有效。因为闪存芯片有一页缓存, 所以当数据寄存器被编入记忆单元中时它便可以执行连续数据输入。缓存编程只有在未完成的编程周期结束且数据寄存器从缓存中传数后才能开始。通过R/B脚可以判断内部编程是否完成。如果系统只用R/B来监控程序的进程,那么,最后一页目标程序的次序则必须由当前页编程指令来安排。
4 存储单元复录
该作用可以快速有效地改写一页中的数据而不需要访问外部存储器。因为消耗在连续访问和重新装载上的时间被缩短, 因而系统的执行能力会提高。尤其当块的一部分被升级而剩下的部分需要复制到新的块中去时, 它的优势就明显显示出来了。该操作是一个连续执行的读指令, 但不用连续地到目的地址访问和复制程序。一个原始页地址指令为“35h" 的读操作, 就可以把整个2112字节的数据转移到内部数据缓冲器中。当芯片返回就绪状态时,带有目的地址循环的页复制数据输入指令就会写入。而该操作中的错误程序会由“通过/ 失败”状态给出。但是,如果该操作的运行时间过长,将会由于数据丢失而引起位操作错误,从而导致外部错误“检查/ 纠正”设备检查失效。由于这个原因, 该操作应使用两位错误纠正。 上门回收闪存芯片实力收货
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擦除操作NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行,如果目标区域已经有数据,必须先擦除后写入,因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页,容量16KB;而大容量闪存采用2KB页时,则每个块包含64个页,容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条,每条数据线每次传输(512+16)bit信息,8条就是(512+16)×8bit,也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计,如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存,容量1Gb,基本数据单位是(256+8)×16bit,还是512字节。 上门回收闪存芯片实力收货
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