广东**FLASH闪存芯片价格行情

时间:2019年10月27日 来源:
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应用

编辑

NAND 闪存被 用于移动存储、MP3 播放器、数码相机、 掌上电脑等新兴数字设备中。由于受到数码设备强劲发展的带动, NAND 闪存一直呈现 级的超高速增长。

“flash存储器”经常可以与“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。

NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,FLASH闪存芯片,但是很低的写入和擦除速度**影响了它的性能。

NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

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总结

RAM芯片失电后数据会丢失,Flash芯片失电后数据不会丢失,我们用失电来表示电源正常关闭,正常关闭电源是指通过控制一步步实现关闭电源后续电流传递的方式,当正常关闭电源才失去电量后续供应保障,并不**断电这样的一个简单概念,由于RAM芯片可以瞬间断电,而Flash芯片不可以瞬间断电,所以不用断电这样的词语来表述这样的过程,由于瞬间断电FLASH芯片还是可能会出现丢失数据现象的,而且这个问题是及其频繁的,在至今的技术来说存储性能与效果暂不能超越SATA磁盘式硬盘记录,当然磁盘记录速度上没有SSD效果好,也有磁头不平稳转动导致磁盘刮坏盘体而丢失数据,但整体来说在丢失数据问题上相对比SSD的FLASH芯片技术更成熟。

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NAND 闪存的存储单元采用串行结构,存储单元的读写是以页和块为单位来进行(一页包含若干字节,若干页则组成储存块, NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ),这种结构比较大的优点在于容量可以做得很大,超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍, NAND 闪存的成本较低,有利于大规模普及。

NAND 闪存的缺点在于读速度较慢,它的 I/O 端口只有 8 个,比 NOR 要少多了。这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送,速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构,内部不存在专门的存储控制器,一旦出现数据坏块将无法修,可靠性较 NOR 闪存要差。

● NOR的读速度比NAND稍快一些。

● NAND的写入速度比NOR快很多。

● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

可靠性

采用flash介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

耐用性

在NAND闪存中每个块的比较大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

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内存

内存是用RAM芯片。现在请你在一张纸上画一个“田”,就是画一个正方形再平均分成四份,这个“田”字就是一个内存,这样,“田”里面的四个空格就是内存的储存空间了,这个储存空间极小极小,只能储存电子。

内存通电后,如果我要把“1010”这个信息保存在内存(现在画的“田”字)中,那么电子就会进入内存的储存空间里。“田”字的 个空格你画一点东西表示电子,第二个空格不用画东西,第三个空格又画东西表示电子,第四个格不画东西。这样,“田”的 格有电子,表示1,第二格没有,表示0,第三格有电子,表示1,第四格没有,表示0,内存就是这样把“1010”这个数据保存好了。电子是运动没有规律的物质,必须有一个电源才能规则地运动,内存通电时它很安守地在内存的储存空间里,一旦内存失电,电子失去了电源的后续供给,就会露出它乱杂无章的本分,逃离出内存的空间去。所以,内存失电就不能保存数据了。

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