硅管二极管价格

在1882年的时候，他们突然想了一个办法，将一片铜片放在灯丝和玻璃之间，以为能阻止灯丝的老化。很遗憾，这个办法不行。他们接下来在这个铜片上施加一定的电压希望能够改善灯丝的寿命，可是这样做依然无济于事。虽然，提高灯丝寿命的实验失败了，但是在这个过程中，他们发现了匪夷所思的事情那就是灯丝和铜片之间会有电流流过，而且加反向电压的时候没有电流流过！可是，铜片和灯丝之间没有任何接触，二者之间是真空！后来，人们把这种效应叫爱迪生效应。二极管的反向漏电流应尽量小。硅管二极管价格

PIN二极管，PIN二极管英文名称为Pin diode，是一种在光通信中普遍使用的光电二极管。它是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造出来的一种晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其工作频率超过100MHz时，由于少数载流子的存贮效应和"本征"层中的渡越时间效应，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件，并且，其阻抗值随偏置电压而改变。在零偏置或直流反向偏置时，"本征"区的阻抗很高；在直流正向偏置时，由于载流子注入"本征"区，而使"本征"区呈现出低阻抗状态。因此，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用。它常被应用于高频开关（即微波开关）、移相、调制、限幅等电路中。深圳平面型二极管批发价格二极管是一种电子器件，具有正向导、反向截止的特性。

反向偏置（Reverse Bias），在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为反向偏置。这种情况下，因为N型区域被注入空穴，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的耗尽层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟着变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。更多的细节请参阅“PN结”条目。实际的元件虽然处于反向偏置状态，也会有微小的反向电流（漏电流、漂移电流）通过。当反向偏置持续增加时，还会发生 隧道击穿 或 雪崩击穿 或 崩溃 ，发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的（反向）电压被称为 击穿电压 。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为 击穿区 （ 崩溃区 ）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。

变容二极管： 变容二极管是利用PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被普遍地用于参量放大器，电子调谐及倍频器等微波电路中。瞬态电压抑制二极管TVS： 一种固态二极管，专门用于ESD保护。TVS二极管是和被保护电路并联的，当瞬态电压超过电路的正常工作电压时，二极管发生雪崩，为瞬态电流提供通路，使内部电路免遭超额电压的击穿。发光二极管LED： 用磷化镓、磷砷化镓材料制成，体积小，正向驱动发光。工作电压低，工作电流小，发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。二极管在电路中的位置和方向对电路功能有重要影响。

普通二极管是由一个PN结构成的半导体器件，即将一个PN结加一两条电极引线做成管芯，并用管壳封装而成。P型区的引出线称为正极或阳极，N型区的引出线称为负极或阴极，如图1所示。普通二极管有硅管或锗管两种，它们的正向导通电压（PN结电压）差别较大，锗管为0.2～0.3V，硅管为0.6～0.7V。点接触型二极管，点接触型二极管是由一根很细的金属触丝(如三价元素铝)和一块半导体(如锗)的表面接触，然后在正方向通过很大的瞬时电流，使触丝和半导体牢固地熔接在一起，三价金属与锗结合构成PN结，并做出相应的电极引线，外加管壳密封而成。金属丝为正极，半导体薄片为负极。二极管的整流作用可将交流转化为直流。深圳平面型二极管批发价格

在焊接二极管时，应避免过高的温度和过长的焊接时间，以防止热损伤。硅管二极管价格

印度人贾格迪什·钱德拉·博斯在1894年成为了头一个使用晶体检测无线电波的科学家。他也在厘米和毫米级别对微波进行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）发明了硅晶检波器，并在1906年11月20日注册了专业技术 。也正是因为格林里夫，使得晶体检波器发展成了可实用于无线电报的装置。其他实验者尝试了多种其他物质，其中较普遍使用的是矿物方铅矿（硫化铅），因它价格便宜且容易获取。在这些早期的晶体收音机集的晶体检波器包括一个可调节导线的点接触设备（即所谓的“猫须”）。硅管二极管价格