XC3105CN

时间:2024年05月16日 来源:

一个是防止充电器的浪涌,与10uF电容一起做RC滤波,保护充电管理. 对充电器频繁热插拔的高压浪涌、对目前市场上的各种参差不齐的手机充电器,加这个电阻对产品的可靠性增加,从某种程度上说有一点系统TVS的效果。 所以这个电阻的功率稍微留点点余量。 二个是可以起到分压的作用,因为是线性充电,如果电池电压3.3V,这时充电处于快充阶段(设定450mA),如果输入5V,芯片自身将产生(5-3.3)*0.45=765mW的热量,芯片太烫,充电电流就会变得小些。而如果加0.5ohm电阻,该电阻将产生0.225V的压降,将能降低一些芯片的功耗,进而降低芯片温度,使得芯片可以保证以设定的450mA持续快速充电。但这个电阻不能大,因为如果大,上面产生的压差大,会影响电池电压4V以上时的快速充电,也会影响充电器输入电压偏低时仍然能以较大电流快速充电。集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、 电池充放电管理、电池电量计,I2C 通信等功能模块。XC3105CN

XC3105CN,电源管理IC

赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术,将控制IC与开关管集成于同一芯片,推出世界小的锂电池保护方案XB430X系列产品。该系列产品采用传统的N型开关管,与传统方案的负极保护原理一致,保护板厂商或电池厂商无需更换任何测试设备或理念。该系列芯片本身就是一个完整的锂电池保护方案,无需外接任何元器件即可实现锂电池保护的功能。为了防止Vcc线上的噪声,建议在使用XB430X系列芯片时在VCC和电池负端之间外接一个电容,如图5所示。XB6042Q2SV电源管理IC上海如韵DS2730:降压型 PD3.0 C+CA 多口快充SOC。

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移动电源SOC具有高集成、多协议双向快充,集成了同步开关升降压变换器、电池充放电管理模块、电量计算模块、显示模块、协议模块,并提供输入/输出的过压/欠压,电池过充/过放、NTC过温、放电过流、输出短路保护等保护功能,支持1-6节电池,支持22.5-140W功率选择,支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/VOOC/BC1.2 DC***PLE 2.4A等主流快充协议。支持PD3.1/PD3.0/PPS/PD2.0/QC4/QC3.0/QC2.0/AFC/FCP/SCP/VOOC/BC1.2 DC***PLE 2.4A等主流快充协议。

DS5036B 无按键动作的情况下,只有连接用电设备的输出口才会开启;未连接设备的输出口保持关闭。 USB-A1、USB-C 均支持输出快充协议。但由于该方案是单电感方案,只能支持一个电压输出,所以只有一个输出口开启的情况下才能支持快充输出。同时使用两个或者三个输出口时,会自动关闭快充功能。 按照“典型应用原理图”所示连接,任何一个输出口已经进入快充输出模式时,当其他输出口插入用电设备,会先关闭所有输出口,关闭高压快充功能,再开启有设备存在的输出口。此时所有输出口只支持 Apple、BC1.2 模式充电。当处于多口输出模式时,任一输出口的输出电流小于约 80mA(MOS Rds_ON@15mohm)时,持续 15s 后会自动关闭该口。从多个用电设备减少到只有一个用电设备时,持续约 15s 后会先关闭所有输出口,开启高压快充功能,再开启一个用电设备存在的输出口,以此方式来重新使能设备请求快充。当只有一个输出口开启的情况下,总的输出功率小于 350mW 持续约 32s 时,会关闭输出口和放电功能,进入待机状态。XF5131是赛芯退出的一款集成充电管理、锂电池保护、低功耗二合一芯片。

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型号:XA2320B关键字:无电感升压2节AA电池升压为3.3V白光LED驱动器印字:N1IF功能概述:该XA2320B是一款低噪声,恒定频率(1.2MHz的)开关电容电压倍增器。它产生一个稳定的输出电压从一个1.8V至5V的输入高达150mA的输出电流。低外部元件数(一个飞电容器和两个小型旁路在VIN和VOUT)电容使XA2320B非常适合小电池供电的应用。一种新的电荷泵架构保持恒定开关频率至零负荷,降低了输出和输入纹波。该并且可以从生存连续短路VOUT到GND。内置软启动电路防止在浪涌电流过大启动。高开关频率允许使用小型的陶瓷电容器。低电流关机功能断开负载从VIN和静态电流降低到<1uA的。该XA2320B可在6引脚SOT23-6应用2节AA电池为3.3V的USBOn-The-Go的设备白光LED驱动器手持设备温度高于高温保护门限或低于低温保护门限,关闭充放电路径。XBL6015Q2SSM电源管理IC磷酸铁锂充电管理

XySemi 锂电保护板生产操作注意事项2。XC3105CN

ESD( Electrostatic Discharge)静电放电:在半导体芯片行业,根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同,可以分为以下四种方式:人体放电模式(HBM:Human-body Model)、机器放电模式 (MM:Machine Model)、元件充电模式(CDM:Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM:Field-Induced Model),但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD,不是系统级ESD; 芯片级ESD:HBM 大于2KV,较高的是8KV。 系统级ESD:接触ESD和空气ESD,指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD,一般空气是15KV,接触是8KV。XC3105CN

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