代理分销商WILLSEMI韦尔WS4668D

     ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器（MLV），适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装，标准产品为无铅、无卤素。

特性：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）为每条线路提供瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=1.2pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速，避免噪声和干扰，高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WUSB3801Q-12/TR USB芯片 封装：QFN1616-12L(1.6x1.6)。代理分销商WILLSEMI韦尔WS4668D

WNM2021：单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET

产品描述

    WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

     WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外，WNM2021作为无铅产品，符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNMD2176WS72358D-8/TR 运算放大器 封装：DFN-8-EP(2x2)。

    WS3222是一款具有可调OVLO（过压锁定）阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时，该设备将关闭内部MOSFET，断开输入到输出的连接，以保护负载。当OVLO输入设定低于外部OVLO选择电压时，WS3222会自动选择内部固定的OVLO阈值电压。过压保护阈值电压可以通过外部电阻分压器进行调整，OVLO阈值电压范围为4V~15V。过热保护(OTP)功能监控芯片温度，以保护设备。WS3222采用DFN2×2-8L封装。标准产品无铅且无卤素。

特点：

· 输入电压：29V

· 导通电阻：45mΩ（典型值）

· 超快OVP响应时间：450ns（典型值）

· 可调OVLO

· 阈值电压：4V~15V

应用：

· 手机和平板电脑

· 便携式媒体播放器

· STB、OTT（机顶盒、互联网电视）

· 汽车DVR、汽车媒体系统外设

    WS3222是专为现代便携设备设计的灵活高效过压保护开关。其特色在于可调OVLO阈值，为不同应用提供定制化保护。超快450纳秒OVP响应时间确保负载在瞬间过压下得到保护。低导通电阻减少正常功耗。集成OTP功能增强可靠性。紧凑封装适合空间受限应用，符合环保标准。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。

ESD5305F：四通道单向低电容瞬态电压抑制器

      产品描述：ESD5305F是一款专为保护高速数据接口设计的低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5305F结合了四对低电容转向二极管和一个TVS二极管，以提供各方面的瞬态保护。封装与环保信息：ESD5305F采用SOT23-6L封装，满足无铅和无卤素环保要求。

产品特性：

反向截止电压：5V

根据IEC61000-4-2标准，每条线路提供±30kV（接触放电）的ESD保护

根据IEC61000-4-5标准，可承受高达6A（8/20μs）的峰值脉冲电流

低电容：CI/O-GND=0.65pF（典型值，Vcc=浮动状态）；CI/O-GND=0.35pF（典型值，Vcc=5V）

极低泄漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=16.5V@IPP=16A（TLP）

采用固态硅技术

应用领域：

USB2.0

HDMI1.3

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子产品

笔记本电脑

关于ESD5305F 如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WMM7027ATSN1-4/TR MEMS麦克风（硅麦）封装：LGA-4(1.9x2.8)。

ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）

· 典型电容：CJ=27pF

· 极低泄漏电流：IR=0.1nA

· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。

· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。

应用：

· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM6001-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔WCN770N15DN

WNM2046E-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。代理分销商WILLSEMI韦尔WS4668D

WL2836E：低噪声、高PSRR、高速CMOSLDO

产品描述：

      WL2836E系列是一款高精度、低噪声、高速、高PSRR（电源抑制比）、低压降CMOS线性稳压器，具有出色的抗纹波能力。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有随输出电压变化的折返至高输出电流，因此电流限制功能既作为短路保护，又作为输出电流限制器。WL2836E稳压器采用标准的SOT-23-5L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

· 输入电压范围：1.4V~5.5V

· 输出电压范围：0.8V~3.3V

· 输出电流：300mA

· 静态电流：50μATyp

· 关机电流：<1μA

· 压降电压：140mV@IOUT=0.3A

· PSRR：78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低输出电压噪声：20μVRMSTyp

· 输出电压容差：±2%@VOUT>2V

· 推荐电容器：1μF

· 热过载和短路保护

应用领域

· MP3/MP4播放器

· 手机、无线电话、数码相机

· 蓝牙、无线手持设备

· 其他便携式电子设备

      WL2836E是高性能CMOS线性稳压器，专为低噪声、高PSRR和高速性能的便携式电子设备设计。宽输入电压范围和可调输出电压使其应用灵活。内置折返至高输出电流和电流限制功能，提供额外保护。紧凑SOT-23-5L封装，无铅无卤素，满足环保要求。详情查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WS4668D