中文资料WILLSEMI韦尔ESD56161D24

    WS4665是一个单通道负载开关，提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET，可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作，并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入（ON）控制，该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中，增加了一个230Ω的片上负载电阻，用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。

主要特性：

· 集成单通道负载开关

· 输入电压范围：0.8V至5.5V

· 极低导通电阻（RON）RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)

· 连续开关上限电流为6A

· 低控制输入阈值，支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑

· 可配置的上升时间

· 快速输出放电（QOD）

· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM

应用领域：

· 超极本TM

· 笔记本电脑/上网本

· 平板电脑

· 消费电子产品

· 机顶盒/住宅网关

· 电信系统

    WS4665适用于多种应用场合，如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格，请查阅相关数据手册或与我们联系。 WNM4002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-523-3。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56161D24

     ESD9X5VL是一款单向瞬态电压抑制器（TVS），为可能遭受静电放电（ESD）的敏感电子元件提供极高水平的保护。它被设计用于替代消费设备中的多层变阻器（MLV），适用于手机、笔记本电脑、平板电脑、机顶盒、液晶电视等设备。ESD9X5VL结合了一对极低电容转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可用于提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受8/20μs脉冲的峰值电流高达4A。ESD9X5VL采用FBP-02C封装，标准产品为无铅、无卤素。

特性：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）为每条线路提供瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=1.2pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=18V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD9X5VL是保护高速数据接口免受静电放电损害的瞬态电压抑制器。响应迅速，避免噪声和干扰，高可靠且适用于便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD02144CWL2836D28-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：UDFN-4-EP(1x1)。

    WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。

特性：

· 输入电压范围：2.5~5.5V

· 主开关RON：80mΩ@VIN=5V

· 持续输出电流：1.0A

· 电流限制阈值：1.5A（典型值）

· 电流限制精度：±20%

· 输出短路电流：0.7A（典型值）

· 自动放电反向阻断（无“体二极管”）

· 过温保护

应用：

· USB外设USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害，确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统，WS4601都提供出色的性能和保护机制，确保设备正常运行。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。

WAS4729QB：低导通电阻（0.8Ω）双SPDT模拟开关，具有负摆幅音频功能

产品描述：

    WAS4729QB是一款高性能的双单极双掷（SPDT）模拟开关，具有负摆幅音频功能，其典型导通电阻Ron为0.8Ω（在3.6VVCC下）。该开关在2.3V至5.5V的宽VCC范围内工作，并设计为先断后通的操作模式。选择输入与TTL电平兼容。WAS4729QB还配备了智能电路，即使在控制电压低于VCC电源电压时，也能至小化VCC泄漏电流。这一特性非常适合移动手机应用，因为它允许直接与基带处理器的通用I/O接口，同时极大限度地减少电池消耗。换句话说，在实际应用中，无需额外的设备来将控制电平调整到与VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封装。标准产品为无铅且无卤素。

产品特性

供电电压：2.3V~5.5V

极低导通电阻：0.8Ω（在3.6V下）

高关断隔离度：-81dB@1KHz

串扰抑制：-83dB@1KHz-3dB带宽：80MHz

轨到轨信号范围

先断后通开关

HBM JEDEC：JESD22-A114IO至GND：±8KV

电源至GND：±5KV

应用领域

手机、PDA、数码相机和笔记本电脑

LCD显示器、电视和机顶盒

音频和视频信号路由

     WAS4729QB是高性能模拟开关，专为移动设备设计，适合音频和视频信号路由，性能优越可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 WL2811EA-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。

WNM2016A：N沟道增强型MOSFET场效应晶体管

产品描述：

WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元

· 设计出色的ON电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器

· 电路便携式设备的负载/电源开关      

      WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET，专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能，包括低RDS(ON)和低栅极电荷，从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外，极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择，因为它既能够提供强大的性能，又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路，还是便携式设备的负载/电源开关，WNM2016A都是一个出色的选择，能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS7802DE-6/TR 模拟开关/多路复用器 封装：DFN-6L(1.1x0.7)。代理分销商WILLSEMI韦尔SPD84581C

ESD9X7V-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD） 封装：FBP-02C。中文资料WILLSEMI韦尔ESD56161D24

WD3139：高效38V升压型白色LED驱动器

产品描述

     WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED，电流限制为1.2A，过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制（PWM）信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行，以减少输出纹波、提高转换效率，并允许使用小型外部组件。

   封装与环保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封装，标准产品为无铅和无卤素。

产品特性：

输入电压范围：2.7~5.5V

开路LED保护：38V（典型值）

参考电压：200mV（±5%）

开关频率：1MHz（典型值）

效率：高达92%

主开关电流限制：1.2A（典型值）

PWM调光频率：5KHz至200KHzPWM

调光占空比：0.5%~100%

应用领域：

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

    WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护，确保LED稳定安全。支持PWM调光，1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保，是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD56161D24