规格书WILLSEMI韦尔WNM2030A
WL2815低功耗CMOSLDO(低压差线性稳压器)
产品描述:
WL2815系列是一款低压差线性稳压器,专为电池供电系统提供高性能解决方案,以实现低静态电流。这些器件为手机、笔记本电脑和其他便携式设备提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列设计用于使用低成本陶瓷电容器,确保输出电流的稳定性,提高效率,从而延长这些便携式设备的电池寿命。WL2815稳压器采用DFN1x1-4L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
静态电流:1.5μA(典型值)
输入电压:2.1V~5.5V
输出电压:1.1V~3.3V
输出电流:@VOUT=3.3V时为300mA
输出电流:@VOUT=2.0V时为200mA
输出电流:@VOUT=1.5V时为150mA
压差电压:@100mA时为100mV
推荐电容器:1uF或更大
工作温度:-40°C至+85°C
输出短路保护
应用领域:
MP3/MP4播放器
手机
蓝牙耳机
无线鼠标
其他电子设备
WL2815是专为便携式设备设计的低功耗CMOS稳压器,性能优异,低静态电流,高效能,延长电池寿命。优化设计,使用低成本陶瓷电容器,在多种应用中提供稳定输出。适用于MP3/MP4播放器、手机、蓝牙耳机等。紧凑封装,符合环保标准,是现代电子设备的理想选择。详情查阅数据手册或联系我们。 ESDA6V8AV6-6/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOT-563。规格书WILLSEMI韦尔WNM2030A
ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。
特性:
· 截止电压:±3.3V
· 根据IEC61000-4-2标准,提供±30kV(接触放电)的ESD保护
· 根据IEC61000-4-4标准,提供40A(5/50ns)的EFT保护
· 根据IEC61000-4-5标准,提供10A(8/20μs)的浪涌保护
· 电容:典型值为17.5pF
· 低泄漏电流:典型值为1nA
· 低钳位电压:在脉冲电流为16A(TLP)时,典型值为8V。
· 固态硅技术
应用:
· 手机
· 计算机和外设:为计算机主板、显示器、键盘等
· 微处理器
· 电源线
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD5431N是专为保护电子元件免受静电、电气瞬变等过应力而设计的高性能双向瞬态电压抑制器。其瞬态保护出色,封装紧凑,环保特性强,广泛应用于手机、计算机和便携式设备,确保设备稳定运行和数据安全。如需详细信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD5651NWS4612EAA-5/TR 模拟开关/多路复用器 封装:SOT-23-5L。
WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性:
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素:WSB5546N是一款环保产品,不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用:
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之,WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管,具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型,它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降,而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此,WSB5546N结合了这些特点,提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。
WNM2016A:N沟道增强型MOSFET场效应晶体管
产品描述:
WNM2016A它采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2016A为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。
产品特性:
· 沟槽技术
· 超高密度单元
· 设计出色的ON电阻
· 极低的阈值电压
应用领域:
· DC/DC转换器
· 电源转换器
· 电路便携式设备的负载/电源开关
WNM2016A是一款高性能的N沟道MOSFET,专为现代电子设备中的高效能量转换和开关应用而设计。其独特的沟槽技术和高密度单元设计提供了优越的电气性能,包括低RDS(ON)和低栅极电荷,从而实现高效能量转换和减少热量损失。此外,极低的阈值电压和SOT-23小型封装使其成为便携式设备中的理想选择,因为它既能够提供强大的性能,又能够节省空间。无论是DC/DC转换器、电源转换器电路,还是便携式设备的负载/电源开关,WNM2016A都是一个出色的选择,能够确保设备的稳定运行和高效能量管理。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2803E30-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5。
ESD9B5VL:单线双向瞬态电压抑制器
产品描述
ESD9B5VL是一个双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD9B5VL可用于提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并可根据IEC61000-4-5标准承受高达3A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD9B5VL采用FBP-02C封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性
· 反向截止电压:±5VMax
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路
· 瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:20A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:3A(8/20μs)
· 电容:CJ=5.0pFtyp
· 低泄漏电流:IR<1nAtyp
· 低箝位电压:VCL=13Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域
· 手机
· 平板电脑
· 笔记本电脑
· 其他便携式设备
· 网络通信设备
ESD9B5VL是高效的瞬态电压抑制器,保护电子设备免受静电放电等瞬态事件影响。适用于手机、平板等便携式设备,保护敏感电子组件。高保护能力、低泄漏和低箝位电压,稳定可靠。详情请查阅数据手册或联系我们。 WNM3003-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔WNM2030A
ESD5341N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。规格书WILLSEMI韦尔WNM2030A
ESD5301N:低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,它可以提供高达±20kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
1、截止电压:5V
2、根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±20kV(接触和空气放电)
3、 IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
4、 IEC61000-4-5(浪涌):4A(8/20μs)
5、低电容:CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流:IR<1nAtyp.
7、低钳位电压:VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域:
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
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