规格书WILLSEMI韦尔WPT2N32
WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升压转换器
产品描述：
WD3133是一款高效率、高功率的峰值电流模式升压转换器。内部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET，至小电流限制为1A。对于使用锂离子电池的便携式设备，WD3133可以从3.3V~5V的输入电压输出典型的12V/200mA~300mA。这款升压转换器WD3133采用脉冲宽度调制（PWM）模式，固定开关频率为1.2MHz，以减少输出纹波并提高转换效率。它还允许使用小型外部组件。在轻负载电流下，转换器进入跳过模式，以在绝大部分的负载电流范围内保持高效率。内置的软启动电路可以至小化启动时的涌入电流。WD3133采用SOT-23-5L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
宽输入电压范围：2.7V至5.5V1.25V（±2%）
高精度参考电压1.2MHz开关频率
高达93%的效率
超过1A（至小值）的功率开关电流限制
从3.3V~5V的输入提供典型的12V/200mA~300mA输出
内置软启动
应用领域：
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
平板电脑（PADs）
WD3133是专为便携式设备设计的高效升压转换器，1.2MHz开关频率和宽输入电压范围使其适用于多种场景，如智能手机、平板电脑和游戏机等。其软启动电路和电流限制功能增强了安全性和可靠性，是电源管理的理想选择。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 WNM2046B-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。规格书WILLSEMI韦尔WPT2N32
RB521S30肖特基势垒二极管
特性：小型表面贴装类型、高可靠性低正向电压、、无铅器件
应用：低电流整流
介绍：
RB521S30是一款肖特基势垒二极管，它具有一系列出色的特性，使其在各种应用中表现优异。首先，其小型表面贴装类型使得它在空间受限的环境中也能轻松安装，同时确保了高效的热量散发。其次，高可靠性确保了器件在长时间使用下仍能保持稳定的性能，减少了维护和更换的频率。
此外，低正向电压是肖特基势垒二极管的一个关键特性，它允许在较低的电压下实现高效的整流功能。这一特性使得RB521S30在需要低电流整流的场合中表现出色，如某些电子设备中的电源管理部分。
值得注意的是，RB521S30是无铅器件，符合现代环保标准。随着全球对环保意识的日益增强，无铅器件已成为许多行业的首要选择。这使得RB521S30在追求高性能的同时，也符合了环保要求。
总的来说，RB521S30肖特基势垒二极管以其小型化、高可靠性、低正向电压和无铅环保等特性，成为低电流整流应用中的理想选择。无论是电子设备制造商还是电路设计工程师，都能从中受益。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2171WL2862E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。
BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。
以下是BL1551B的主要特性和优势：
高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得它能够处理高速信号切换，满足许多高速应用的需求。
低导通电阻：在5V工作电压下，其导通电阻为2.7Ω，这有助于减少信号在开关过程中的损失，保证信号的完整性。
高效的隔离度：在1MHz的频率下，BL1551B的隔离度达到-84dB，这意味着在开关处于关闭状态时，信号泄漏非常小，从而确保了良好的信号隔离效果。
宽工作电压范围：BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V，这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作，为设计者提供了更大的灵活性。
此外，BL1551B的封装类型为SC-70-6，这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中，BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关，并提供样品供您测试，如需更多信息或支持，请随时联系我们。
ESD5301N：低电容单线单向瞬态电压抑制器
产品描述：
ESD5301N是一款低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过度应力影响。
包含一对低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触和空气放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。
采用DFN1006-2L封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性：
1、截止电压：5V
2、根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±20kV（接触和空气放电）
3、 IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）
4、 IEC61000-4-5（浪涌）：4A（8/20μs）
5、低电容：CJ=0.4pFtyp.
6、低漏电流：IR<1nAtyp.
7、低钳位电压：VCL=14.5Vtyp.@IPP=16A(TLP)
8、固态硅技术
应用领域：
1、USB2.0和USB3.0
2、HDMI1.3和HDMI1.4
3、SATA和eSATA
4、DVI
5、IEEE1394
6、PCIExpress
7、便携式电子产品和笔记本电脑
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD5301N这款TVS，并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持，请随时联系我们。 WD3139F-6/TR LED驱动 封装：TSOT-23-6。
WPM3401：单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET
WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于极小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。
其主要特性包括：
· 沟槽技术
· 超高密度的单元设计
· 优异的导通电阻，适用于更高的直流电流
· 小型SOT-23-3L封装
应用领域包括：
· 笔记本电脑的电源管理
· 便携式设备
· 电池供电系统
· DC/DC转换器
· 负载开关
WPM3401是一种高性能的功率MOSFET，专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WPM3022-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔WNM2020A
ESD5411N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。规格书WILLSEMI韦尔WPT2N32
ESD5641DXX是一款专为保护电源接口设计的瞬态电压抑制器。它非常适合用于替代便携式电子产品中的多个离散组件。ESD5641DXX特别为USB端口设计，采用了具有更高浪涌能力的TVS二极管来保护USB电压总线引脚。封装与环保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封装。标准产品为无铅和无卤素。
技术特性：
· 反向截止电压：7.5V~15V
· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护8/20μs
· 根据IEC61643-321标准的浪涌保护10/1000μs
· 低钳位电压
· 固态硅技术
应用领域：
· 电源保护
· 电源管理
ESD5641DXX瞬态电压抑制器以其出色的浪涌保护能力和低钳位电压，为电源接口提供了可靠的防护。特别适合用于USB端口保护，其紧凑的封装和环保特性使其成为便携式电子产品的理想选择。无论是在电源保护还是电源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WPT2N32
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