普通二极管分类
发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件,简称LED(LightEmittingDiode)。和普通二极管相似,发光二极管也是由一个PN结构成。发光二极管的PN结封装在透明塑料壳内,外形有方形、矩形和圆形等。发光二极管的驱动电压低、工作电流小,具有很强的抗振动和冲击能力、体积小、可靠性高、耗电省和寿命长等优点,广用于信号指示等电路中。当无光照时,光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面。当制成大面积的光电二极管时,可当作一种能源而称为光电池。此时它不需要外加电源,能够直接把光能变成电能。由于理想的二极管不包含击穿端,因此它绝不执行任何称为漏电流的反向电流。普通二极管分类
光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口,以便于接受光照。其特点是,当光线照射于它的PN结时,可以成对地产生自由电子和空穴,使半导体中少数载流子的浓度提高,在一定的反向偏置电压作用下,使反向电流增加。因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加。理想二极管在端子上施加任何正向电压时都包括无限的正向电流。这是由于理想条件,二极管的内部电阻将为零。理想的二极管完全没有内部电阻。由于电流(欧姆定律I=V/R),将执行无限量的电流并将其提供给具有理想二极管的电路。中山本地二极管参数二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关。
反向电流是指二极管在规定的温度和比较高反向电压作用下,经过二极管的反向电流。反向电流越小,管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系,大约温度每升高10℃,反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管,在25℃时反向电流若为250uA,温度升高到35℃,反向电流将上升到500uA,依此类推,在75℃时,它的反向电流已达8mA,不仅失去了单方向导电特性,还会使管子过热而损坏。又如,2CP10型硅二极管,25℃时反向电流只为5uA,温度升高到75℃时,反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
两个稳压二极管反向串联的作用:1、经常在功率较大的放大电路,功率管的基极b与发射极e即发射结并联两个反向的二极管,这是通过对发射结输入电流的分流作用而起保护作用;2、两个二极管反向串联后对与之并联的电路可起过压保护作用,当电路过压时,二极管首先击穿短路;双向过压保护。这种双向tvs,双向过压保护电路一般用于电子电路,与被保护的PN结并联,保护该PN免遭反向过电压的危害;作用:过压保护,静电保护,电压钳位,阻尼作用。二极管在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其基底材料是砷化镓和锗。其P型区的N型区是高掺杂的(即高浓度杂质的)。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。在发生隧道效应具备如下三个条件:①费米能级位于导带和满带内;②空间电荷层宽度必须很窄(0.01微米以下);简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性。江崎二极管为双端子有源器件。其主要参数有峰谷电流比(IP/PV),其中,下标"P"指"峰";而下标"V"指"谷"。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中(其工作频率可达毫米波段),也可以被应用于高速开关电路中。触发二极管又称双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。惠州稳压二极管工作原理
当反向施加电压时,二极管是理想的绝缘体。普通二极管分类
有在小电流下(10mA程度)使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管,也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。开关二极管的特长是开关速度快。而肖特基型二极管的开关时间特短,因而是理想的开关二极管。2AK型点接触为中速开关电路用;2CK型平面接触为高速开关电路用;用于开关、限幅、钳位或检波等电路;肖特基(SBD)硅大电流开关,正向压降小,速度快、效率高。普通二极管分类
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