广东进口温度传感器封装

时间:2023年11月06日 来源:

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    热退火在氢气环境中进行。步骤s130:氧化所述空腔上部的硅片得到氧化硅薄膜。通过热氧化工艺氧化空腔上部的硅片以形成氧化硅薄膜23(如图2c所示)。在900℃~1200℃的高温环境中,通过外部供给氧气或者水蒸气使之与硅发生化学反应,可以在空腔上方得到一层热生长的氧化层。由于当氧化层达到一定厚度时,氧化反应几乎停止,因此当难以通过一次氧化工艺将空腔上方的硅全部氧化成氧化硅时,需要通过多次氧化步骤实现将空腔上方的硅全部氧化,具体为,进行次热氧化生成一层氧化硅薄膜后,空腔上方为残留的未氧化的硅以及在硅上生成的氧化硅薄膜,通过刻蚀工艺去除上方的氧化硅薄膜,保留空腔上方的硅,此时硅的厚度减小,继续通过上述热氧化、刻蚀和热氧化的循环工艺逐渐减小空腔上方硅的厚度,直至后一次热氧化后空腔上方的硅全部生成氧化硅薄膜,由此实现上层氧化硅薄膜与下层硅通过空腔隔离。此时,温度传感器的基作完成。在一实施例中,在得到上述氧化硅薄膜后还可在氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,由于氧化硅内部存在较大的应力,氧化硅薄膜容易断裂,在氧化硅薄膜上面再淀积一层氮化硅薄膜或者聚酰亚胺薄膜,可以平衡氧化硅内部应力。温度传感器厂家找美信美,服务可靠。

    即温度传感器的输出导线与铝层连接以通过铝层与金属铂层连接。上述铂热电阻传感器,利用金属铂在温度变化时自身电阻值也会随着温度改变的特性来测量温度,温度传感器的输出端子与显示仪表连接,显示仪表会显示受温度影响得到的铂电阻对应的温度值。在一实施例中,因上述热电阻传感器中上层有金属结构如金属铝和金属铂,对于直接暴露在空气中时容易氧化的金属层,其上还形成有一层钝化层,可对金属层进行保护。同时,需要在对应温度传感器引出端子处开设有通孔,通过通孔可引出输出端子。在本实施例中,是在两端的金属铝上方的钝化层开设有通孔。钝化层可为氧化硅层或氮化硅层,也可为叠设的氧化硅层和氮化硅层。在一实施例中,测温单元为一热电偶传感结构,包括:多晶硅层,包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条;和第三金属层。第三金属层包括位于相邻多晶硅条之间的金属结构,n型多晶硅和p型多晶硅通过金属结构串联,第三金属层还包括位于多晶硅层外侧两端的第二金属结构,用于引出温度传感器的输出端子。如图和图所示,氧化硅薄膜上形成有一层多晶硅层。该多晶硅层包括并排且间隔设置的n型多晶硅条和p型多晶硅条。靠谱温度传感器,深圳美信美科技只做原装现货。无线温度传感器哪个靠谱

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