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并联稳压电路稳压性能有所提高，线路也不复杂，其优点是：有过载自保护性能，输出断路时调整管不会损坏;在负载变化小时，稳压性能比较好;对瞬时变化的适应性较好。但并联稳压电路也有比较大的缺点：效率较低，特别是轻负载时，电能几乎全部消耗在限流电阻和调整管上;输出电压调节范畴很小;稳定度不易做得很高。这些固有的缺点很难改进，所以现在普遍利用的都是串联稳压电路。为简单的串联晶体管稳压电路。调整管T与负载电阻R。相串联，当由于供电或用电发生变化引起电路输出电压波动时，它都能及时地加以调节，使输出电压保持基本稳定，因此它被称做调整管。稳压管Dz为调整管提供基准电压，使调整管基极电位不变。R。是D2的保护电阻，限制通过D2的电流，起保护稳压管的作用。线性稳压芯片-代理线性稳压芯片单价线性稳压电源，参考电压源功能原理：提供直流稳压系统电子电路所需的高精度参考电压源和电源。KXY。
由于LDO的输入电压和输出电压之间存在一个压差，当输出一定的负载电流时，会在LDO上消耗Power=UI的功率。这会影响LDO的效率，如果这个功率很大，还会导致LDO上的功率传输管发热，需要使用体积庞大的散热片，这样不利于LDO应用在便携式电子设备中。如果能尽量减小这个压差，这样LDO不但能起到稳压的作用，还能有较高的效率，在输出较大负载电流时也不会发热。低压差线性稳压器（LDO）使用在其线性区域内运行的晶体管或FET，从应用的输入电压中减去超额的电压，产生经过调节的输出电压。所谓压降电压，是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO（低压降）稳压器通常使用功率晶体管（也称为传递设备）作为PNP。这种晶体管允许饱和，所以稳压器可以有一个非常低的压降电压，通常为200mV左右；与之相比，使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为2V左右。负输出LDO使用 NPN 作为它的传递设备，其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。更新的发展使用CMOS功率晶体管，它能够提供低的压降电压。使用CMOS，通过稳压器的电压压降是电源设备负载电流的ON电阻造成的。如果负载较小，这种方式产生的压降只有几十毫伏。
电压差和接地电流值主要由线性稳压器的旁路元件(pass element)确定，电压差和接地电流值定了后就可确定稳压器适用的设备类型。五大主流线性稳压器每个都具有不同的旁路元件(pass element)和独特性能，分别适合不同的设备使用。标准NPN稳压器的优点是具有约等于PNP晶体管基极电流的稳定接地电流，即使没有输出电容也相当稳定。这种稳压器比较适合电压差较高的设备使用，但较高的压差使得这种稳压器不适合许多嵌入式设备使用。PNP 旁路晶体管是一种低压差稳压器，其中的旁路元件就是PNP晶体管。它的输入输出压差一般在0.3到0.7V之间。因为压差低，因此这种PNP旁路晶体管稳压器非常适合电池供电的嵌入式设备使用。不过它的大接地电流会缩短电池的寿命。另外，PNP晶体管增益较低，会形成数毫安的不稳定接地电流。由于采用公共发射极结构，因此它的输出阻抗比较高，这意味着需要外接特定范围容量和等效串联电阻(ESR)的电容才能够稳定工作。用户的信赖之选，有想法可以来我司咨询！晶体管设计，就选深圳市凯轩业电子科技。
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内部电路由基准电压源、误差放大器、输出电压预设电阻器和输出P-chMOSFET晶体管组成。一些电路还具有恒流限制器、折返电路和用于保护目的的热关断功能。由于很难构建用于双极性工艺的带隙基准电路作为基准电压源，因此通常使用的基准电压源是CMOS工艺所独有的。因此，与双极性线性稳压器相比，输出电压温度特性往往略逊一筹。此外，内部相位补偿和电路因稳压器类型而异，例如低电源电流、高速和低ESR电容兼容。例如，低电源电流稳压器通常使用两个放大器，而高速稳压器有时包含三个放大器。图4所示为高速稳压器的基本电路框图。通过在前置放大器和输出P-chMOSFET晶体管之间添加一个缓冲放大器，缓冲放大器可以在高栅极容量下以更高的速度驱动负载P-chMOSFET晶体管。输出电压可由分频电阻R1和R2的值确定，限流值由分频电阻R3和R4的值决定。每个值都是通过修剪精确设置的。许多高速型稳压器与陶瓷电容器等低ESR型电容器兼容，因为它们主要用于无线应用和便携式电子设备，因此需要小型化。代理线性稳压芯片单价