金华快恢复二极管原理

二极管共有两种工作状态:截止和导通。二极管导通与截止有一定的工作条件。二极管导通的条件有两个：正向偏置电压；正向偏置电压大到一定程度，对于硅二极管而言为0.6V。只要正向电压达到一定的值，二极管便导通，导通后二极管相当于一个导体，二极管的两根引脚之间的电阻很小，相当于接通。二极管导通后，所在回路存在电流，这一电流流动方向从二极管正极流向负极。如果给二极管正极加的电压低于负极电压，这是给二极管加反向偏置电压给二极管加上反向偏置电压后，二极管处于截止状态，二极管的两根引脚之间的电阻很大，相当于开路。二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性。金华快恢复二极管原理

二极管击穿特性外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。东莞双向触发二极管功率二极管当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。

二极管的电路分析：（1）从电路中可以看出3只二极管串联，根据串联电路特性可知，这3只二极管如果导通会同时导通，如果截止会同时截止。（2）根据二极管是否导通的判断原则分析，在二极管的正极接有比负极高得多的电压，无论是直流还是交流的电压，此时二极管均处于导通状态。从电路中可以看出，在VD1正极通过电阻R1接电路中的直流工作电压+V，VD3的负极接地，这样在3只串联二极管上加有足够大的正向直流电压。由此分析可知，3只二极管VD1、VD2和VD3是在直流工作电压+V作用下导通的。（3）从电路中还可以看出，3只二极管上没有加入交流信号电压，因为在VD1正极即电路中的A点与地之间接有大容量电容C1，将A点的任何交流电压旁路到地端。

二极管的反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和反向电压作用下，其流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结。

反向偏压（Reverse Bias）在阳极侧施加相对阴极负的电压，就是反向偏置，所加电压为逆向偏压。这种情况下，因为N型区域被注入电洞，P型区域被注入电子，两个区域内的主要载流子都变为不足，因此结合部位的空乏层变得更宽，内部的静电场也更强，扩散电位也跟著变大。这个扩散电位与外部施加的电压互相抵销，让反向的电流更难以通过。实际的元件虽然处于反向偏压状态，也会有微小的反向电流（饱和电流、漏电流、漂移电流）通过。当反向偏压持续增加时，还会发生隧道击穿或雪崩击穿或崩溃，发生急遽的电流增加。开始产生这种击穿现象的（反向）电压被称为击穿电压。超过击穿电压以后反向电流急遽增加的区域被称为击穿区（崩溃区）。在击穿区内，电流在较大的范围内变化而二极管反向压降变化较小。稳压二极管就利用这个区域的动作特性而制成，可以作为电压源使用。二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。珠海瞬变抑制二极管原理

二极管初被发明时通常被称作“整流器”。金华快恢复二极管原理

平面型二极管：在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上光选择性地扩散一部分而形成的PN结。因此，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。由于半导体表面被制作得平整，故而得名。并且，PN结合的表面，因被氧化膜覆盖，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型。较初，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的，故又把平面型称为外延平面型。对平面型二极管而言，似乎使用于大电流整流用的型号很少，而作小电流开关用的型号则很多。金华快恢复二极管原理

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