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Multi-layerCeramicCapacitor)多层陶瓷电容，也就是MLCC，片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量极大的电容类型，其标准化封装，尺寸小，适用于自动化高密度贴片生产。也就是我自己设计的主板，自己拍的照片，加了艺术效果；没有标引用和出处的图片和内容，绝大多数都是我自己画或弄出来的，剩下一点点可能疏忽忘加了；标引用的图片，很多都是我重新加工的，例如翻译或几张图拼在一起等等，工具很土EXCEL+截图。多层陶瓷电容的内部结构如下图所示：原图出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多层陶瓷电容生产流程如下图所示：原图出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多层陶瓷需要烧结瓷化，形成一体化结构，所以引线(Lead)封装的多层陶瓷电容，也叫独石(Monolithic)电容。在谈谈电感中也介绍过多层陶瓷工艺和ThinFilm工艺。ThinFilm技术在性能或工艺控制方面都比较先进，可以精确的控制器件的电性能和物理性能。因此，ThinFilm电容性能比较好，极小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，极小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm电容可以用于要求比较高的RF领域，AVX有Accu-P®系列。华强北华科正规代理商。龙华区电解电容哪里买
QualityFactor)和电感一样，可以定义电容的品质因数，也就是Q值，也就是电容的储存功率与损耗功率的比：Qc=(1/ωC)/ESRQ值对高频电容是比较重要的参数。自谐振频率(Self-ResonanceFrequency)由于ESL的存在，与C一起构成了一个谐振电路，其谐振频率便是电容的自谐振频率。在自谐振频率前，电容的阻抗随着频率增加而变小；在自谐振频率后，电容的阻抗随着频率增加而变小，就呈现感性；如下图所示：图出自TaiyoYuden的EMK042BJ332MC-W规格书二、电容的工艺与结构根据电容公式，电容量的大小除了与电容的尺寸有关，与电介质的介电常数(Permittivity)有关。电介质的性能影响着电容的性能，不同的介质适用于不同的制造工艺。常用介质的性能对比，可以参考AVX的一篇技术文档。AVXDielectricComparisonChart电容的制造工艺主要可以分为三大类：·薄膜电容(FilmCapacitor)·电解电容(ElectrolyticCapacitor)·陶瓷电容(CeramicCapacitor)1薄膜电容(FilmCapacitor)FilmCapacitor在国内通常翻译为薄膜电容，但和ThinFilm工艺是不一样的。为了区分，个人认为直接翻译为膜电容好点。薄膜电容是通过将两片带有金属电极的塑料膜卷绕成一个圆柱形，极后封装成型；由于其介质通常是塑料材料。南山区国巨电容专卖店风华安规电容原装现货。
不过大都是长这样：图片来源于百度图片而聚合物铝电解电容的封装长这样：图片来自Murata网站引申阅读：·PolymerCapacitorBasics(Part1):WhatIsaPolymerCapacitor?·PolymerCapacitorBasics(Part2):WhatIsaPolymerCapacitor?钽电解电容(Tantalumelectrolyticcapacitors)钽(拼音tǎn)电解电容应用极多的应该是利用二氧化锰做固态电解质，主要长这样：图片出自SolidTantalumMnO2Capacitors固态钽电解电容内部结构大致如下图所示：原图出自Vishay技术文档钽电容与铝电解电容比，在于钽氧化物(五氧化二钽)的介电常数比铝氧化物(三氧化二铝)的高不少，这样相同的体积，钽电容容量要比铝电解电容的要大。钽电容寿命较长，电性能更加稳定。钽电容也有利用导电高分子聚合物(ConductivePolymer)做电解质，结构与上图二氧化锰钽电容类似，就是将二氧化锰换成导电聚合物；导电聚合物的电导率比二氧化锰高，这样ESR就会更低。另外还有湿式的钽电容，特点就是超大容量、高耐压、低直流漏电流，主要用于**和航天领域。
但不能和双电层电容相比）。价格低廉。比其它种类电容，在价格上具有压倒性优势，因为其组成材料都是普通的工业材料。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备，可以大规模生产，成本相对比较低。新型的电解电容发展的非常快，某些产品的性能已达到无机电容器的水准，电解电容正在替换某些无机和有机介质电容器。电解电容的使用范围相当，基本上，有电源的设备都会使用到电解电容。电解电容的分类，传统的方法都是按阳极材质，比如说铝或者钽。所以，电解电容按阳极分，为以下几种：铝电解电容（CL）电容量：0。47--10000μ额定电压：主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大。应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等不管是SMT贴片工艺的（“贴片电容”，识别方式是底坐有黑色橡胶），还是直插式的，或者有塑料表皮的，只要它们的阳极材质是铝，那么他们就都叫做铝电解电容。电容的封装方式和电容的品质本身并无直接联系，电容的性能只取决于具体型号钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）电容量：0。1--1000μ额定电压：6。3--125V主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容。应用：在要求高的电路中代替铝电解电容阳极由钽构成，就是那种我们在显卡上见到的黄色或黑色小颗粒。巨新科是风华电容原产渠道。
有电感、电容等所有系列的产品及相关参数曲线，非常全，不得不再次推荐一下：·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI电容ClassI电容应用极多的是C0G电容，性能稳定，适用于谐振、匹配、滤波等高频电路。C0G电容的容值十分稳定，基本不随外界条件(频率除外)变化，下图是Murata一款1000pF电容的直流、交流及温度特性。图片来自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要关注C0G电容的频率特性。下图是Murata的3款相同封装(0402inch)相同容差(5%)的10pF电容的频率特性对比。图片来自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高频系列，可见GQM系列高频性能更好，自谐振频率和Q值更高，一些高频性能要求很高的场合，可以选用容差1%的产品。而GRM系列比较便宜，更加通用，例如EMC滤波。ClassII和ClassIII电容ClassII和ClassIII电容都是高介电常数介质，性能不稳定，容值变化范围大，通常用作电源去耦或者信号旁路。以Murata一款22uF、、X5R电容为例，相关特性曲线：图片来自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII电容，容值随温度、DC偏置以及AC偏置变化范围较大。特别是用作电源去耦时。华科安规电容原装现货。深圳薄膜电容麦克风
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电容都有一定的直流偏置，电容量比标称值小很多，所以要注意实际容值是否满足设计要求。纹波电流作为DCDC的输入和输出电容，都会有一定的纹波电流，由于ESR的存在会导致一定的温升。加上环境温度，不能超过电容的额定温度，例如X5R电容极高额度温度是85℃。通常由于多层陶瓷电容ESR较小，能承受的纹波电流较大。自谐振频率电容由于ESL的存在，都有一个自谐振频率。大容量的电容，自谐振频率较低，只有1-2MHz。所以，为了提高电源的高频效应，大量小容值的去耦电容是必须的。此外，对于开关频率很高的DCDC芯片，要注意输入输出电容的自谐振频率。ESR设计DCDC电路，需要知道输出电容的ESR，来计算输出电压纹波。多层陶瓷电容的ESR通常较低，大约几到几十毫欧。5安规电容对于我们家用的电子设备，极终都是220V交流市电供电。电源适配器为了减少对电网的干扰，通过相关EMC测试，都会加各种滤波电容。下图为一个简易的电路示意图：对于L和N之间的电容叫X电容，L、N与PE或GND之间的电容叫Y电容。由于220V交流电具有危险性，会威胁人的人身安全，电子产品都需要满足相关安规标准，例如GB4943和UL60950的相关测试要求。因此，X电容和Y电容与这些测试直接相关，所以也叫安规电容。龙华区电解电容哪里买
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