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瓷片电容的读数方法瓷片电容的读数方法和电阻的读数方法基本相同，分色标法、数标法和直标法3种。瓷片电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=1000毫法（mF），1毫法=1000微法（μF），1微法=1000纳法（nF），1纳法=1000皮法（pF）。容量大的瓷片电容其容量值在电容上直接标明，如10μF/16V；容量小的瓷片电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；字母表示法：2m=2000μF，1P2=1.2PF，2n=2000PF；数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。瓷片电容比独石电容耐压高。深圳**瓷片电容****

独石(Monolithic)电容由于多层陶瓷需要烧结瓷化，形成一体化结构，所以引线(Lead)封装的多层陶瓷电容。多层陶瓷电容，也就是MLCC，片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量比较大的电容类型，其标准化封装，尺寸小，适用于自动化高密度贴片生产。独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithicceramiccapacitor或multi-layerceramiccapacitor,简称MLCC，根据所使用的材料，可分为三类。一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。深圳口碑好瓷片电容厂家实力雄厚按工作电压可分为：高压瓷介电容器和低压瓷介电容器。

储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150000μF之间的铝电解电容器（如EPCOS公司的B43504或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。4、储能储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150000μF之间的铝电解电容器（如EPCOS公司的B43504或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

去藕去藕，又称解藕。从电路来说，总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大，驱动电路要把电容充电、放电，才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大，这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。去藕电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。电容一般可以分为有极性电容和无极性电容。

瓷片电容应用在电源电路的主要作用是实现旁路、去藕、滤波和储能电容器，简称电容，用字母C表示，国际单位是法拉，简称法，用F表示，在实际应用中，电容器的电容量往往比1法拉小得多，常用较小的单位，如微法(μF)、皮法(pF)等。电容一般可以分为有极性电容和无极性电容。瓷片电容一般是无极性电容，容量值一般小于1μF，比如常用的瓷片电容0.1UF（104）。瓷片电容应用于电源电路的主要作用是实现旁路、去藕、滤波和储能电容器，简称电容，用字母C表示，国际单位是法拉，简称法，用F表示，在实际应用中，电容器的电容量往往比1法拉小得多，常用较小的单位，如微法(μF)、皮法(pF)等。电容一般可以分为有极性电容和无极性电容。瓷片电容一般是无极性电容，容量值一般＜1μF，比如常用的瓷片电容0.1UF（104）。瓷片电容容量小，只有0.1uF;广东质量瓷片电容上门维修

由于受真空净化条件的限制，不得在现场对瓷片电容进行内部维修。深圳**瓷片电容****

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