深圳销售高压MOS管规格尺寸

深圳销售高压MOS管规格尺寸, 　在开关电源当中，开关管的关断和开通时间影响着开关电源的工作效率，而MOS管的一些参数起着决定性的作用，那么MOS管的选择又存在哪些技巧呢? 　　由于MOS管对电路的输出有很好的益处，其在电源中经常被当作开关元件使用。服务器和通信设备等应用一般都配置有多个并行电源，高压MOS管，以支持N+1冗余与持续工作。 　　各并行电源平均分担负载，确保系统即使在一个电源出现故障的情况下仍然能够继续工作。 　　不过，这种架构还需要一种方法把并行电源的输出连接在一起，并保证某个电源的故障不会影响到其它的电源。在每个电源的输出端，有一个功率MOS管可以让众电源分担负载，同时各电源又彼此隔离。 　　起这种作用的MOS管被称为“Oring”FET，因为它们本质上是以"OR"逻辑来连接多个电源的输出。 　　在服务器当中，电源是不断工作着的，所以MOS管作为开关器件，始终是处于导通的状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。相比从事以开关为**应用的设计人员，ORing FET应用设计人员显然必需关注MOS管的不同特性。以服务器为例，在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。 　　因此，ORing FET应用设计人员相当关心的是相当小传导损耗。

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mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 MOS管可以用作可变电阻也可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。且场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。场效应管可以方便地用作恒流源也可以用作电子开关。 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了大多数的应用。 在一般电子电路中，通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOSFET扮演的角色主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

深圳销售高压MOS管规格尺寸, MOS管的更换： 　　在修理电视机及各种电器设备时，遇到元器件损坏应该采用相同型号的元件进行更换。但是，有时相同的元件手边没有，就要采用其他型号的进行代换，这样就要考虑到各方面的性能、参数、外形尺寸等，例如电视的里面的行输出管，只要考虑耐压、电流、功率一般是可以进行代换的(行输出管外观尺寸几乎相同)，而且功率往往大一些更好。 　　对于MOS管代换虽然也是这一原则，比较好是原型号的比较好，特别是不要追求功率要大一些，因为功率大;输入电容就大，换了后和激励电路就不匹配了，激励灌流电路的充电限流电阻的阻值的大小和MOS管的输入电容是有关系的，选用功率大的尽管容量大了，但输入电容也就大了，激励电路的配合就不好了，这反而会使MOS管的开、关性能变坏。所示代换不同型号的MOS管，要考虑到其输入电容这一参数。 　　例如有一款42寸液晶电视的背光高压板损坏，经过检查是内部的大功率MOS管损坏，因为无原型号的代换，就选用了一个，电压、电流、功率均不小于原来的MOS管替换，结果是背光管出现连续的闪烁(启动困难)，***还是换上原来一样型号的才解决问题。 　　检测到MOS管损坏后，更换时其周边的灌流电路的元件也必须全部更换。

MOS关防静电保护： 　　MOS管是属于绝缘栅场效应管，栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，产生较高的电压将栅极和源极之间的绝缘层击穿。 　　早期生产的MOS管大都没有防静电的措施，所以在保管及应用上要非常小心，特别是功率较小的MOS管，由于功率较小的MOS管输入电容比较小，接触到静电时产生的电压较高，容易引起静电击穿。 　　而近期的增强型大功率MOS管则有比较大的区别，首先由于功能较大输入电容也比较大，这样接触到静电就有一个充电的过程，产生的电压较小，引起击穿的可能较小，再者现在的大功率MOS管在内部的栅极和源极有一个保护的稳压管DZ，把静电嵌位于保护稳压二极管的稳压值以下，有效的保护了栅极和源极的绝缘层，不同功率、不同型号的MOS管其保护稳压二极管的稳压值是不同的。 　　虽然MOS管内部有了保护措施，我们操作时也应按照防静电的操作规程进行，这是一个合格的维修员应该具备的。

深圳销售高压MOS管规格尺寸, MOS管发热情况： 1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关电路状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，等效直流阻抗比较大，压降增大，所以U*I也增大，损耗就意味着发热。这是设计电路的相当忌讳的错误。 2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。 3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于比较大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。 4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。