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低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构。高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器。就结构而言，可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高。

片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰。 由于多层的结构特性和封装原因，抵抗弯曲能力较差，PCB弯曲变形有可能引起电容开裂失效。广东**瓷片电容点击了解更多

瓷片电容以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器，外壳是陶瓷的，用来绝缘。又称圆片瓷介电容。

瓷片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于你使用在什么场合，其中**典型作用就是可以消除高频干扰。

瓷片电容的稳定性及容量精度与其采用的介质材料存在着对应关系，主要分为三大类别：

一、是以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，瓷片电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于高频电子线路，如振荡计时电路等；其容量精度主要为±5%以及在容量低于10pF时，可选用B档(±0.1pF)、C档(±0.25pF)、D档(±0.5pF)三种精度。 深圳优良瓷片电容全国发货发现瓷片电容有严重的外观不良，过热和绝缘老化缺点时，应使其退出运行，调换备用电容器。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。 电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。 电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的 B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

瓷片电容器应用于电源电路的主要作用是完成耦合、振荡/同步及时间常数

电容器，简称电容，用字母C表示，国际单位是法拉，简称法，用F表示，在实际应用中，电容器的电容量往往比1法拉小得多，常用较小的单位，如微法(μF)、皮法(pF)等。电容一般可以分为有极性电容和无极性电容。

瓷片电容一般是无极性电容，容量值一般小于1μF，比如常用的瓷片电容0.1UF（104）。

1、时间常数

这就是常见的 R、C 串联构成的积分电路。当输入信号电压加在输入端时，电容（C）上的电压逐渐上升。而其充电电流则随着电压的上升而减小。电流通过电阻（R）、电容（C）的特性通过下面的公式描述：

i = (V / R)e - (t / CR)

高频电容和瓷片电容一般来说瓷片电容和高频电容是极为相似的两种电容器，事实上高频电容和瓷片电容是有区别的。高频电容是陶瓷电容器的一种。

陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷（钛酸钡一氧化钛）挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。

陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆片形电容器。广东官方瓷片电容高性价比的选择

高压瓷片电容还适合用在高压旁路系统或功能有滤波、蓄能、隔离、阻抗变换。广东**瓷片电容点击了解更多

独石电容和瓷片电容都属于陶瓷电容，整体构造上看独石电容和瓷片电容的区别是：独石电容是多层陶瓷电容的别称，独石电容是由多层介质和多对电极构成的，而瓷片电容一般是由一层介质和一对电极构成的，瓷片电容分为高频瓷介和低频瓷介两种。外观上看独石电容和瓷片电容的区别是：独石电容其实是陶瓷贴片电容焊引线后烧结而成，一般是方形，而瓷片电容是片状，大多是圆片形状；容量和耐压上看独石电容和瓷片电容的区别是：同体积下，独石电容的电容量远远大于瓷片电容的电容量，而瓷片电容的耐压高于独石电容的耐压。广东**瓷片电容点击了解更多

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