西藏电池片打磨

    原位掺杂:PECVD制备多晶硅膜并原位掺杂工艺优势:沉积速度快，沉积温度低，轻微的绕镀，可以用PECVD直接制备多晶硅层，流程相对简化劣势:厚度均匀性较差，纯度低，存在气泡爆膜问题，导致致密度和良率较低目前产业化程度较慢，根据Solarzoom，目前拉普拉斯、捷佳伟创、金辰股份、无锡微导等国内设备厂商已经布局该方法原则上没有绕镀问题，与PERC产线不兼容，更适合新的产线，后续有望通过工艺的成熟改善镀膜稳定性，成为主流技术3.离子注入:LPCVD制备多晶硅膜结合扩硼及离子注入磷工艺优势:离子注入技术是单面工艺，掺杂离子无需绕镀，工艺温度低，成膜速度快劣势:扩硼工艺要比扩磷工艺难度大，需要更多的扩散炉和两倍的LPCVD，设备成本高，靶材用量大，方阻均匀性有偏差目前主要是隆基绿能有布局，因占地面积较大，几乎没有绕镀问题但是设备成本昂贵，正逐渐被边缘化成本分析，大部分的TOPCon产线可以从PERC产线升级得来，极大降低设备投资成本TOPCon产线延长了PERC产线生命周期，有助于降低折旧费用主要新增的设备包括:多晶硅/非多晶硅沉积的LPCVD/PECVD/PVD设备、硼扩散设备等。 如果制绒液的配比没有问题，那么花斑白斑和制绒前的硅片表面质量就显得尤其重要了。西藏电池片打磨

    三洋开启HJT技术垄断期1997年开始三洋开始向市场提供HJT系统。其电池片和组件效率分别达到。此后HJT技术一直被三洋垄断，期间各国也在积极开展对HJT技术的研究，多厂商步入HJT工业化进程2010年松下(收购三洋)的HJT到期后，国内外诸多厂商纷纷开启了HJT的工业化进程，期间松下于2011年达到，于2014年转换效率比较高已达，KANEKA于2015年突破记录达到，国内厂商加快HJT产业化步伐2017年晋能科技成为了国内早试生产HJT电池的厂商，此后越来越多的企业开始进入中试生产阶段，到201年已有多家国内厂商宣布GW级HJT产能规划。2021年隆基绿能的研究团队更新HJT电池的理论极限效率至，并刷新纪录达到，并且外层的TCO薄膜是透光膜，整体结构形成天然的双面电池，双面电池的发电量要超出单面电池10%+，目前HJT电池双面率已经达到95%(比较高达到98%)，双面PERC电池的双面率为75%+2.温度系数值低，HJT每W发电量高出双面PERC电池约。从温度系数角度来看，HJT电池能更好地减少太阳光带来的热损失3.低衰减，HJT电池首年衰减1%~2%，此后每年衰减，远低于PERC电池首年衰减2%，此后每年衰减。HJT低衰减特征使得其全生命周期每W发电量高出双面PERC电池约，全套工艺流程共计6个环节。

     西藏电池片打磨在有栅线的面涂覆减反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉。

    电池片产品的生命力或会凋零，但积蓄的技术底蕴会成为企业无可替代的竞争力。在不可预知的技术浪潮里，投资者关注热点题材的同时，要提防过度乐观的情绪色彩，理性看待，应聚焦于企业穿越一次次光伏而沉淀下的判断力和行动力。电池片一般分为单晶硅、多晶硅、和非晶硅单晶硅太阳能电池是当前开发得快的一种太阳能电池，它的构造和生产工艺已定型，产品已用于空间和地面。这种太阳能电池以高纯的单晶硅棒为原料。为了降低生产成本，地面应用的太阳能电池等采用太阳能级的单晶硅棒，材料性能指标有所放宽。有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳能电池的单晶硅棒。电池片工艺流程制绒（INTE）--扩散（1DIF）---后清洗（刻边/去PSG）----镀减反射膜PECVD----丝网、烧结。（PRINTER）---测试、分选（TESTER+SORER----包装（PACKING）。1、制绒制绒的目的是在硅片表面形成绒面面，以减少电池片的反射率，绒面凹凸不平可以增加二次反射，改变光程及入射方式。通常情况下用碱处理单晶，可以得到金字塔状绒面；用酸处理多晶，可以得到虫孔状无规则绒面。处理方式区别主要在与单多晶性质的区别。

    多应用于对硅片要求较高的半导体领域直拉法(Cz-czochralski)，光伏领域主要使用Cz法抽真空→检漏→压力化→熔料→稳定化→熔接→引晶→放肩→转肩→等径→收尾→停炉，以及两个重要辅助工艺——煅烧、副室隔离净化1.装料在高纯度石英坩埚中按层次装入多晶硅块料、粉料、颗粒料、掺杂剂，然后放入石墨坩埚并合炉。掺杂剂类型决定得到P型还是N型硅片2.抽空检漏合炉后，主泵对炉体内部进行抽空，为单晶生长提供洁净的环境。抽空至一定压力后，充入高纯度氩气，然后关闭，再抽，再充，反复几次，带走炉内杂质。此后要进行检漏3.压力化检漏完成，开启氩气阀，炉内压力逐渐升至晶体生长压力范围4.化料驱动石墨加热器电源，加热至大于硅的融化温度，使多晶硅和掺杂物熔化5.引晶熔液温度稳定到引晶范围后，降下籽晶接近液面，籽晶固体接触液面后，籽晶端头熔化，由于表面张力，籽晶与硅融体的固液交接面之间的硅融体冷却形成固态的硅单晶6.缩颈籽晶接触到硅液瞬间，其温度差产生的热应力引发位错，消除位错的方法是“缩颈”。在提拉过程中，逐渐缩小籽晶，将位错的排列挤压出去，并拉制细颈长度约晶棒直径大小7.放肩引晶至目标长度，减慢晶体提拉速度，降低温度，直径快速增大。

   电池片电池片一般分为单晶硅、多晶硅、和非晶硅 单晶硅太阳能电池是当前开发得快的一种太阳能电池。

    此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程。值得注意的是太阳能电池片在现实当中，是不能够实现P型和N型两种类型电池接触而形成PN结的，因为没办法做到分子级别拼接，实际生产过程中多为在P型硅的基础上单面扩散制得N型。图中兰色小圆为多子电子；红色小圆为多子空穴。N型半导体中的多子电子的浓度远大于P型半导体中少子电子的浓度；P型半导体中多子空穴的浓度远大于N型半导体中少子空穴的浓度。于是在两种半导体的界面上会因载流子的浓度差发生了扩散运动，见上图。随着扩散运动的进行，在界面N区的一侧，随着电子向P区的扩散，杂质变成正离子；在界面P区的一侧，随着空穴向N区的扩散，杂质变成负离子。杂质在晶格中是不能移动的，所以在N型和P型半导体界面的N型区一侧会形成正离子薄层；在P型区一侧会形成负离子薄层。这种离子薄层会形成一个电场，方向是从N区指向P区，称为内电场，见下图。内电场的出现及内电场的方向会对扩散运动产生阻碍作用，限制了扩散运动的进一步发展。在半导体中还存在少子，内电场的电场力会对少子产生作用，促使少数载流子产生漂移运动。我们称从N区指向P区的内电场为PN结，简单的描述为：N型半导体中含有较多的空穴。 用石英坩埚装好多晶硅料，加入适量硼硅，放人浇铸炉，在真空状态中加热熔化。西藏电池片打磨

硅片经过抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。西藏电池片打磨

    从非硅成本上来看。可以通过使用多主栅技术或使用银铝浆替代银浆来降低成本TOPCon电池的非硅成本已经有能力低于，对比PERC电池仍然有，主要原因系银浆单耗高TOPCon的双面率高，正反面都需要使用银浆，M6型TOPCon电池使用的银浆约130mg，较M6型PERC电池高出约60mg，预计未来可以通过多主栅或背面使用银铝浆来降低非硅成本产品良率TOPCon电池的良率整体低于PERCTOPCon电池的整体良率在93%-95%左右，而PERC电池的整体良率在97%-98%之间良率劣势原因1.隧穿氧化层和多晶硅层的制备工艺路线不统一，且加工步骤较多，TOPCon生产流程共12~13步，PERC为10步左右，HJT为6步左右、脏污的情况仍有待改善产能梳理1.隆基绿能，N/P型TOPCon实验室转换效率达到，实验室单晶双面TOPCon电池效率达到，预计三季度投产2.晶科能源，N型TOPCon实验室转换效率达到，量产效率达到，合肥、海宁合计16GW的N型电池项目已投产3.中来股份，N型TOPCon电池实验室转换效率达到，量产效率达到24%以上，山西16GW产线，其中一期8GW正处于设备安装阶段，预计2022年实现6GW产能4.天合光能，N型i-TOPCon实验室转换效率达到，量产效率可达，宿迁8GW项目预计2022年下半年投产5.晶澳科技，量产效率可达。

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