西藏比较好的电池片

    湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出，可以达到利用物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。PECVD等离子体化学气相沉积。太阳光在硅表面的反射损失率高达35%左右。减反射膜可以提高电池片对太阳光的吸收，有助于提高光生电流，进而提高转换效率：另一方面，薄膜中的氢对电池表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小暗电流，提升开路电压，提高光电转换效率。H能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。在真空环境下及480摄氏度的温度下，通过对石墨舟的导电。使硅片的表面镀上一层SixNy薄膜。

     未来10年晶体硅太阳能电池所占份额尽管会因薄膜太阳能电池的发展等原因而下降，其主导地位仍不会根本改变。西藏比较好的电池片

    P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，生成的P2O5淀积在硅片表面与硅继续反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中扩散,制得N型半导体。3刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净，避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。湿法刻蚀工艺流程：上片→蚀刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→碱槽(KOH)→水洗→HF槽→水洗→下片HNO3反应氧化生成SiO2，HF去除SiO2。刻蚀碱槽的作用是为了抛光未制绒面，使电池片变得光滑；碱槽的主要溶液为KOH；H2SO4是为了让硅片在流水线上漂浮流动起来，并不参与反应。干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀。当气体以等离子体形式存在时，一方面等离子体中的气体化学活性会变得相对较强，选择合适的气体，就可以让硅片更快速的进行反应，实现刻蚀；另一方面，可利用电场对等离子体进行引导和加速，使等离子体具有一定能量，当轰击硅片的表面时，硅片材料的原子击出。

     西藏比较好的电池片而薄膜电池如果能够解决转换效率不高、制备薄膜电池所用设备价格昂贵等问题，会有巨大的发展空间。

    工艺流程：制绒槽→水洗→碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干。一般情况下，硅与HF、HNO3（硅表面会被钝化）认为是不反应的。当存在于两种混合酸的体系中，硅与混合溶液的反应是持续性的。2、扩散扩散是为电池片制造心脏，是为电池片制造P-N结，POCl3是当前磷扩散用较多的选择。POCl3为液态磷源，液态磷源扩散具有生产效率较高、稳定性好、制得PN结均匀平整及扩散层表面良好等优点。POCl3在大于600℃的条件下分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5），PCl5对硅片表面有腐蚀作用，当有氧气O2存在时，PCl5会分解成P2O5且释放出氯气，所以扩散通氮气的同时通入一定流量的氧气。P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅和磷原子，生成的P2O5淀积在硅片表面与硅继续反应生成SiO2和磷原子，并在硅片表面形成磷-硅玻璃（PSG），磷原子向硅中扩散，制得N型半导体。3、刻蚀在扩散工序，采用背靠背的单面扩散方式，硅片的侧边和背面边缘不可避免地都会扩散上磷原子。当阳光照射，P-N结的正面收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到P-N结的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并联电阻。刻蚀工序是让硅片边缘带有的磷的部分去除干净。避免了P-N结短路并且造成并联电阻降低。

    使Si氧化为SiO2，然后HF溶解SiO2，并生成络合物H2SiF6。从而导致硅表面发生各向同性非均匀性腐蚀，形成粗糙的多孔硅层，有利于减少光发射，增强光吸收表面，为了控制化学反应的剧烈程度，有时加入一些其他的化学品。3Si+4HNO3＝3SiO2+2H2O+4NOSiO2+6HF＝H2[SiF6]+2H2OSi+HNO3+6HF＝H2SiF6+HNO2+H2O+H213绒面为什么是球形在硅与硝酸的反应中，除了生成SiO2，还生成NO气体，在硅片表面形成气泡，导致硅片表面产生球形腐蚀坑的只要原因。14为什么去除多孔硅膜酸腐蚀易在多晶硅表面形成一层彩色均匀的多孔硅膜，这个多孔硅膜具有极低的发射系数，但是，它不利于p－n结的形成和印刷电极，使用稀释的NaOH溶液来去除多孔硅膜。15多晶硅绒面形貌随着反应时间的增加，表面形貌从微裂纹状到气泡状，发射率是一个先降后升的过程，其中微裂纹状织构的发射率比气泡状的低，但综合后续工艺要求表面织构的形貌应介于微裂纹状和气泡状之间。16硅片清洗中的超声波技术超声波清洗是半导体工业中广泛应用的一种清洗方法,该方法的优点是:清洗效果好,操作简单,对于复杂的器件和容器也能,但该法也具有噪音较大、换能器易坏的缺点。该法的清理原理如下：在强烈的超声波作用下。

   硅片因为本身的切割或其他原因出现的表面有规则的白斑，那是无法去掉。

    从非硅成本上来看。可以通过使用多主栅技术或使用银铝浆替代银浆来降低成本TOPCon电池的非硅成本已经有能力低于，对比PERC电池仍然有，主要原因系银浆单耗高TOPCon的双面率高，正反面都需要使用银浆，M6型TOPCon电池使用的银浆约130mg，较M6型PERC电池高出约60mg，预计未来可以通过多主栅或背面使用银铝浆来降低非硅成本产品良率TOPCon电池的良率整体低于PERCTOPCon电池的整体良率在93%-95%左右，而PERC电池的整体良率在97%-98%之间良率劣势原因1.隧穿氧化层和多晶硅层的制备工艺路线不统一，且加工步骤较多，TOPCon生产流程共12~13步，PERC为10步左右，HJT为6步左右、脏污的情况仍有待改善产能梳理1.隆基绿能，N/P型TOPCon实验室转换效率达到，实验室单晶双面TOPCon电池效率达到，预计三季度投产2.晶科能源，N型TOPCon实验室转换效率达到，量产效率达到，合肥、海宁合计16GW的N型电池项目已投产3.中来股份，N型TOPCon电池实验室转换效率达到，量产效率达到24%以上，山西16GW产线，其中一期8GW正处于设备安装阶段，预计2022年实现6GW产能4.天合光能，N型i-TOPCon实验室转换效率达到，量产效率可达，宿迁8GW项目预计2022年下半年投产5.晶澳科技，量产效率可达。

     其光电转换效率约12％左右，稍低于单晶硅太阳能电池。西藏比较好的电池片

采用丝网印刷法，精配好的银浆印在硅片上做成栅线，经过烧结，同时制成背电极。西藏比较好的电池片

    专注研发IBC电池1986年PierreVerlinden博士在标准光照下制备出效率21%的IBC电池。技术SunPower开启IBC电池初步产业化1997年，SunPower公司和斯坦福大学开发的IBC电池得到了(149cm2)的IBC电池A-300，转换效率为，并于菲律宾工厂规模量产(25MW产能）2007年SunPower通过工艺优化和改进研发出可量产的平均效率，更多厂商机构步入IBC技术研发2012年天合光能承担了国家863项目的“效率21%以上的全背结晶体硅电池产业化成套关键技术及示范生产线”课题，于2014年分别以，并开启中试生产2014年，SunPower在N型CZ(直拉)硅片上制备的第三代IBC电池的高效率达到，IBC技术形成三大分支化路线a.以SunPower为的经典IBC电池工艺b.以ISFH为的POLO-IBC(集成光子晶体的多晶硅氧化物叉指背接触)电池工艺c.以KANEKA为的HBC(IBC与HJT技术结合)电池工艺2021年黄河水电建成了中国首条IBC电池量产线，产能200MW，平均效率突破24%2022年ISFH设计的POLO-IBC电池进一步打破了IBC电池的效率极限，通过改进钝化转换效率有望提高到，国际上SunPower处于地位其一代IBC电池，已吸收了TOPCon电池钝化接触的技术优点，保留了铜电极工艺，量产工艺已经简化，成本在可接受范围，转换效率达到25%以上。

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