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时间:2024年03月29日 来源:

4.为了解决上述技术问题,本发明提供了一种ddr4内存信号测试方法、装置及存储介质,可以反映正常工作状态下的波形,可以提高测试效率。5.为实现上述目的,本技术提出技术方案:6.一种ddr4内存信号测试方法,所述方法包括以下步骤:7.s1,将服务器、ddr4内存和示波器置于正常工作状态,然后利用示波器采集ddr4内存中的相关信号并确定标志信号;8.s2,根据标志信号对示波器进行相关参数配置,利用示波器的触发功能将ddr4内存的信号进行读写信号分离;9.s3,利用示波器对分离后的读写信号进行测试。10.在本发明的一个实施例中,所述将服务器、ddr4内存和示波器置于正常工作状态,然后利用示波器采集ddr4内存中的相关信号并确定标志信号,具体包括:11.将示波器与ddr4内存的相关信号引脚进行信号连接;12.将服务器、ddr4内存和示波器置于正常工作状态;13.利用示波器对ddr4内存的相关信号进行采集并根据相关信号的波形确定标志信号。DDR4信号质量测试 DDR4-DRAM的工作原理分析;HDMI测试DDR测试工厂直销

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实际的电源完整性是相当复杂的,其中要考虑到IC的封装、仿真信号的切换频率和PCB耗电网络。对于PCB设计来说,目标阻抗的去耦设计是相对来说比较简单的,也是比较实际的解决方案。在DDR的设计上有三类电源,它们是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%,而其瞬间电流从Idd2到Idd7大小不同,详细在JEDEC里有叙述。通过电源层的平面电容和用的一定数量的去耦电容,可以做到电源完整性,其中去耦电容从10nF到10uF大小不同,共有10个左右。另外,表贴电容合适,它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加严格的容差性,但是它承载着比较小的电流。显然,它只需要很窄的走线,且通过一两个去耦电容就可以达到目标阻抗的要求。由于Vref相当重要,所以去耦电容的摆放尽量靠近器件的管脚。然而,对VTT的布线是具有相当大的挑战性,因为它不只要有严格的容差性,而且还有很大的瞬间电流,不过此电流的大小可以很容易的就计算出来。终,可以通过增加去耦电容来实现它的目标阻抗匹配。在4层板的PCB里,层之间的间距比较大,从而失去其电源层间的电容优势,所以,去耦电容的数量将增加,尤其是小于10nF的高频电容。详细的计算和仿真可以通过EDA工具来实现。HDMI测试DDR测试工厂直销DDR内存条电路原理图;

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测试头设计模拟针对测试的设计(DFT)当然收人欢迎,但却不现实。因为自动测试仪的所需的测试时间与花费正比于内存芯片的存储容量。显然测试大容量的DDR芯片花费是相当可观的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重视,所以人们不断试图集结能有效控制和观察的内部节点。DFT技术,如JEDEC提出的采用并行测试模式进行多阵列同时测试。不幸的是由于过于要求芯片电路尺寸,该方案没有被采纳。DDR作为一种商品,必须比较大限度减小芯片尺寸来保持具有竞争力的价位。

1.目前,比较普遍使用中的DDR2的速度已经高达800Mbps,甚至更高的速度,如1066Mbps,而DDR3的速度已经高达1600Mbps。对于如此高的速度,从PCB的设计角度来帮大家分析,要做到严格的时序匹配,以满足信号的完整性,这里有很多的因素需要考虑,所有的这些因素都有可能相互影响。它们可以被分类为PCB叠层、阻抗、互联拓扑、时延匹配、串扰、信号及电源完整性和时序,目前,有很多EDA工具可以对它们进行很好的计算和仿真,其中CadenceALLEGROSI-230和Ansoft’sHFSS使用的比较多。显示了DDR2和DDR3所具有的共有技术要求和专有的技术要求DDR存储器信号和协议测试;

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对于DDR2和DDR3,时钟信号是以差分的形式传输的,而在DDR2里,DQS信号是以单端或差分方式通讯取决于其工作的速率,当以高度速率工作时则采用差分的方式。显然,在同样的长度下,差分线的切换时延是小于单端线的。根据时序仿真的结果,时钟信号和DQS也许需要比相应的ADDR/CMD/CNTRL和DATA线长一点。另外,必须确保时钟线和DQS布在其相关的ADDR/CMD/CNTRL和DQ线的当中。由于DQ和DM在很高的速度下传输,所以,需要在每一个字节里,它们要有严格的长度匹配,而且不能有过孔。差分信号对阻抗不连续的敏感度比较低,所以换层走线是没多大问题的,在布线时优先考虑布时钟线和DQS。DDR信号质量的测试方法、测试装置与测试设备与流程;HDMI测试DDR测试工厂直销

DDR3总线的解码方法;HDMI测试DDR测试工厂直销

什麽是DDR内存?如何测试?

近几年来,CPU的速度呈指数倍增长。然而,计算机内存的速度增长确不尽人意。在1999年,大批量的PC133内存替代PC100。其间,英特尔公司推出Rambus内存作为PC工业的内存解决方案。在内存技术不断发展的时代,每一种新技术的出现,就意味着更宽的频带范围和更加优越的性能。内存峰值带宽定义为:内存总线宽度/8位X数据速率。该参数的提高会在实际使用过程中得到充分体现:3维游戏的速度更快,MP3音乐的播放更加柔和,MPEG视频运动图像质量更好。今年,一种新型内存:DDR内存面世了。对大多数人来说,DDR仍然是一个陌生的名词,然而,它确是数以百计前列内存和系统设计师3年来通力合作的结晶。DDR的出现预示着内存带宽和性能的提高,然而与Rambus内存相比更重要的一点是DDR的价格更低。 HDMI测试DDR测试工厂直销

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